太陽電池印刷

 為了實現太陽電池低價格光發電係統的實用化目標,各國開展

了對材料、元件、插件及係統的研究與開發。特別是將現代印刷技

術引入太陽電他的製造過程中,使其製造成本有了明顯降低。例

如,過去對矽太陽電池電極的形成一般采用真空蒸鍍技術或電鍍

法,現在已廣為采用絲網印刷法。日本鬆下電器產業所開發的B。

貝族化合物半導體太陽電池(MS/CdYe)就是通過印刷方式來實現

大批量、高性能、低成本生產。這種太陽電池在製作過程中,首先

把硫化鍋和硫化鍋製成漿糊狀,采用特殊印刷方式將其印刷在玻璃

板上,形成半導體皮膜,從而構成光電轉換機構。其光電轉換效

率:

    對於小麵積(4.6cM M 0.17cM)為12.8%;

 太陽光從玻璃板側射入。在玻璃基板上全麵形成cds膜,其厚

度為X。30ym,以構成透明電極,並具有n區的機能。由於在

n—貝族化合物半導體中,(kx5具有2.42lv的禁止帶寬,所以最適

合於作為光吸收材料禁止帶寬的膜。

    形成陽膜後,再在cds膜上印刷出部分c批膜,其厚度為

5。15四,即構成p區,井進而在CdTl膜亡塗布C電極。C電極是

以coe作為p區並含有接受體的雜質(如cu)。由於太陽光的照

射,雜質將向肌中擴散,可以起到強化帆膜P區的作用,這

樣,在n區的Cwe膜與強化的9區的cdTe膜界麵處構成pn結,

形成太陽電他的主體,在四結完成太陽能向電能的轉換。

    在毗側的As*In電極,是為丁將Pn結產生的電能取出並作

為向外部輸送的負極。

    正麵的AA電極是補償電極,用於補償c電極電阻的損失,並

同時作為向外輸送的正極。

    如果擴大cdTe膜的麵積,在Pn結處產生的電流則要流經cds

膜較長的距離才能到達ABt h電極,而此區間內電阻的存在會使

太陽電他的轉換效率下降。為此,在設計coe膜時要考慮使之保

持合理的間隙。同時,為了在此間隙的cd5膜麵集電,特設置

A5?h電極。


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